,还能够适用于直接耦合到笔直腔外表发射激光器(VCSELs)和上,因而,光栅耦合器被广泛运用。
。其间一个首要缺陷是其光****波段宽小。因为光栅衍射的波长依赖性,在硅光子学中,一般具有1-dB光
宽约为30 nm的窄波段宽。但是,对某些运用,需求更宽的光波段宽。香港中文大学近来提出了一种新的在C波段和O波段都适用的波导光栅耦合器的规划办法,规划原理如图1所示。该器材依据分别在硅层和多晶硅覆盖层上构成的两个独立光栅的初始规划进行了优化。他们规划了C波段的上层(多晶硅),以及O波段的基层(硅)作为初始优化种子。
运用遗传算法对该结构能够进行数值优化后,光栅耦合器C波段的耦合功率为3.86dB,O波段的耦合功率为4.46dB,试验成果如图2所示,在C波段的−耦合功率为4.37dB,O波段的−耦合功率为5.8dB。
GC2是指为在O波段作业而规划的均匀光栅耦合器。GC3是指为C波段规划的上多晶硅层和为O波段规划的下硅层的复合光栅耦合器。GC4是指以GC3作为初始优化种子的终究优化的双波段光栅耦合器[1] 。
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