近来，中国科学院上海微体系与信息技能研讨所研讨员游天桂、欧欣课题组，根据“离子刀”异质集成技能成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟（InP）单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了功能优异的晶圆级硅基1.55 μm通讯波段法布里-珀罗腔（FP）腔激光器。相关研讨成果在线发表于《光：科学与使用》。
研讨团队根据离子束剥离技能，制备了高质量大尺度异质集成硅基InP晶圆，随后在异质集成衬底上成长1.55 μm激光器结构，在“异质”衬底上完成了近似“同质”外延作用的单片集成片上光源。外拖延未观察到直接异质外延傍边常见的高密度位错，且外表仍具有极低的粗糙度，打破了传统异质外延中的“失配桎梏”。进一步地，研讨团队根据此技能道路在晶圆级异质衬底上制备了高功能FP腔C波段激光器。硅基激光器在接连波形式高温条件下展示出了逾越体资料器材的耐热性、更低的自热效应以及更高的作业时分的温度，CW和Pulsed形式下的输出曲线以及激射波长红移速度比照均验证了剥离所得硅基InP薄膜质量和InP体资料的可比较性。
异质集成晶圆级硅基InP衬底、器材示意图以及硅基器材和体资料器材功能比照 图片来源于《光：科学与使用》
